Descrição Geral
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TIPO DE ENCAPSULAMENTO: DIP-4 (THROUGH HOLE)
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SAÍDA: TRANSISTOR FOTOSSENSÍVEL
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RELAÇÃO DE TRANSFERÊNCIA DE CORRENTE (CTR): 200% A 400% (COM IF = 5 mA, VCE = 5 V)
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TENSÃO COLETOR-EMISSOR MÁXIMA (VCEO): 35 V
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CORRENTE MÁXIMA DO COLETOR (IC): 50 mA
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TENSÃO DE ISOLAMENTO: 5000 VRMS
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TEMPERATURA DE OPERAÇÃO: -55 °C A +110 °C
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TEMPO DE SUBIDA/DECIDA TÍPICO: 4 µs / 3 µs