Descrição Geral
MOSFET de potência tipo canal N, indicado para aplicações de chaveamento em alta corrente e tensão. Tecnologia planar, baixa resistência RDS(on) e encapsulamento TO-247AC. Utilizado em fontes chaveadas, inversores, drivers de motores e sistemas industriais.
Características elétricas:
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Tipo: MOSFET canal N
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Tensão Vds: 200 V
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Corrente Id (25 °C): 94 A
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RDS(on): 0,040 Ω máx
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Vgs: ±20 V
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Dissipação máxima: 300 W
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Encapsulamento: TO-247AC
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Montagem: THT
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Fabricante: Infineon
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Modelo: IRFP90N20DPBF
Aplicações típicas:
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Fontes chaveadas
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Conversores DC-DC
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Inversores e sistemas fotovoltaicos
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Controle de motores
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Equipamentos industriais